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유도가열 애플리케이션에 이상적인 1200V IGBT
 
 
홍진석기자 | 2011.10.28
 
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인터내셔널 렉티파이어는 용접 및 고전력 정류 등과 같은 유도가열 및 공진형 스위칭 애플리케이션에 최적화된 효율적이고 신뢰성 있는 IGBT(Trench Insulated Gate Bipolar Transistor) 2종을 출시했다.
 신형 1200V IGBT는 IR의 검증된 박형-웨이퍼(thin-wafer) 트렌치 기술을 사용하여 낮은 VCE(on), 초고속 스위칭 등과 같은 중요한 성능 이점들을 제공하여 전력소모를 줄이고 향상된 전력밀도를 달성할 수 있다. 뿐만 아니라, 디바이스들은 1300V의 반복 최고 정격을 제공하여 추가적인 시스템 신뢰성을 제공한다.
 IGBT는 공진형 영전류 턴-온 동작을 위해 최적화된 낮은 포워드-전압(forward-voltage) 최고 전류 소프트 포워드-복구(forward-recovery) 다이오드와 함께 패키징된다.
이러한 신형 IGBT는 모터 드라이브 및 하드 스위칭 애플리케이션을 위한 IR의 IGBT 제품군을 보완한다. IR은 전력 애플리케이션에 집중함으로써 디바이스들이 다양한 전력 시스템의 기술적 요구사항들을 충족시킬 수 있도록 최적화할 수 있었다.
 

 
TAG :  공진형스위칭  유도가열  IGBT
 
 
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